Western Digital ha annunciato di aver sviluppato con successo la sua tecnologia 3D NAND di quinta generazione, BiCS5, confermando la leadership dell’azienda nel fornire le più avanzate tecnologie di memoria flash nel settore.
BiCS5, costruita su tecnologie triple-level-cell (TLC) e quad-level-cell (QLC), offre livelli eccezionali di capacità, performance e affidabilità a un prezzo interessante. Questi aspetti rendono il prodotto una soluzione ideale verso cui indirizzare la crescita esponenziale di dati legati alla diffusione di auto connesse, dispositivi mobili e intelligenza artificiale.
Western Digital ha avviato la produzione dei primi BiCS5 TLC basati su chip da 512-gigabit (Gb) e sta attualmente introducendo in commercio prodotti basati sulla nuova tecnologia. La produzione di significativi volumi commerciali di BiCS5 è attesa per la seconda metà dell’anno. BiCS5 TLC e BiCS5 QLC saranno disponibili con diverse capacità, inclusa quella da 1.33 terabit (Tb).
“Stiamo andando verso un nuovo decennio e diventa fondamentale adottare un nuovo approccio verso la scalabilità della tecnologia 3D NAND per continuare a soddisfare le esigenze di un aumento di volume e velocità di dati”, ha dichiarato Dr. Steve Paak, senior vice president della tecnologia e della produzione delle memorie di Western Digital. “Il successo nella produzione di BiCS5 ben esemplifica la continua leadership di Western Digital nella tecnologia delle memorie flash, nel rispetto della nostra roadmap. Facendo leva sui nuovi progressi nella nostra tecnologia di memorie hole multi-strato per aumentare la densità lateralmente oltre ad aggiungere più livelli di storage, abbiamo significativamente scalato la capacità e le performance della nostra tecnologia 3D NAND, mentre continuiamo ad offrire l’affidabilità e il costo che i nostri consumatori si aspettano.”
Costruita utilizzando un’ampia gamma di nuove tecnologie e innovazioni dal punto di vista produttivo, BiCS5 è la tecnologia 3D NAND di Western Digital più avanzata e con la maggiore densità ad oggi. Una tecnologia di memoria hole multi-strato di seconda generazione, processi ingegneristici migliorati e altri progressi nelle celle 3D NAND, aumentano significativamente la densità lungo la direzione orizzontale degli array della cella di memoria attraverso il wafer. Questi avanzamenti di “scaling laterali” in combinazione con 112 livelli di capacità di memoria lungo la direzione verticale consentono a BiCS5 di offrire fino al 40% in più di bit di capacità di archiviazione per wafer rispetto alla tecnologia di Western Digital BiCS4 a 96-layer, ottimizzando al contempo i costi. Nuovi miglioramenti nel design accelerano anche le performance, consentendo a BiCS5 di offrire fino al 50% di performance I/O più veloci rispetto al BiCS4.
La tecnologia BiCS5 è stata sviluppata insieme al partner tecnologico e produttivo Kioxia Corporation. Sarà prodotta negli stabilimenti della joint venture di Yokkaichi, nella Prefettura di Mie in Giappone e nella città di Kitakami, nella Prefettura di Iwate in Giappone.
L’introduzione della tecnologia BiCS5 poggia su un ricco portafoglio di tecnologie 3D NAND di Western Digital per l’utilizzo nell’elettronica di consumo, negli smartphone, nei dispositivi IoT e nei data center.
